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NTB5411N, NTP5411N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7000
6000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
8
Q T
5000
4000
3000
2000
C iss
7
6
5
4
3
Q 1
Q 2
1000
0
0
C rss
10
20
30
C oss
40
50
60
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS = 48 V
I D = 80 A
T J = 25 ° C
70 80 90
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
V DD = 48 V
I D = 80 A
V GS = 10 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
t d(off)
50
40
30
10
t d(on)
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
300
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 ms
1 ms
100 m s
10 m s
250
I D = 75 A
10
dc
200
150
1
0 V ≤ V GS ≤ 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
100
50
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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